Anwendung für Wicked (Analog-Design-OptimierungsSoftware)

Aravid Radhakrishnan Nair Dienstag 20.06.23 um 16 Uhr

Beschreibung demnächst verfügbar

Beschreibung demnächst verfügbar

Peter Schreivogel Dienstag 06.06.23 um 16 Uhr

Beschreibung demnächst verfügbar

Robuster Ultra Low Power Hibernation Modus & 28nm Embedded RRAM für Verbraucher- und Industrieprodukte: Design und Zuverlässigkeit

Christoph Saas & Jan Otterstedt Dienstag 23.05.23 um 16:00

Beide sind Themen aus dem Smarcard Bereich

Integrationstechnologien für Sensoren und ICs auf flexiblen Foliensubstraten

Landesberger Christof Dienstag 15.11.22 um 17:00

Es werden Technologien für die Montage und Verbindung von nackten ICs auf flexiblen Foliensubstraten erläutert. Ergebnisse früherer Forschungsarbeiten an der Fraunhofer EMFT zur mechanischen Stabilität von ultradünnen Siliziumchips (bis zu 12 µm Dicke) auf Polyimid-Foliensubstraten werden gezeigt. Einige Anwendungsbeispiele für dünne und flexible Elektronik werden ebenfalls vorgestellt.

Trends und Herausfordungen von fortgeschrittenen CMOS Technologien für Analog und Hochfrequenz Anwendungen

Peter Baumgartner Dienstag 17.1.23 um 17:00

Die fortscheitende Miniaturisierung von CMOS Technologien wird durch eine Vielzahl von Bauelement und Prozessinnovationen ermöglicht (z.B. Finfet Transistoren). Treibende Kraft dafür sind digitale Anwendungen.

In diesem Vortrag werden Vorteile und Herausforderungen dieser CMOS Technologien für Analog, Hochfrequenz und mmW Anwendungen betrachtet.

Präzisionsmessungen in der neuen Generation von Energieumwandlungssystemen mit hoher Leistung

Misha Ivanov Dienstag 31.1.23 um 17:00

Die Energiewende ist in unserer Gesellschaft in vollem Gange, und wir verwenden in vielen Bereichen unseres Lebens zunehmend Hochspannungs- und Hochstromwandlersysteme.  Die Generatoren für erneuerbare Energien, Elektrofahrzeuge und ihre Ladegeräte, Motorantriebe und ähnliche Geräte verarbeiten routinemäßig Spannungen zwischen 800 V und 2000 V und Ströme bis zu 1000 A.  Um die hohe Effizienz und Sicherheit dieser Geräte zu gewährleisten, müssen die Spannungen und Ströme in vielerlei Hinsicht sehr genau gemessen werden: zur Steuerung der Schaltvorgänge von Leistungs-SiC-, GaN- oder IGBT-Transistoren, zur präzisen Messung des Ladezustands der Batterie oder zur Abrechnung und zur Erkennung kleinster Isolationsfehler, die den Benutzer gefährden könnten.   Wir werden die Präzisionssensoren, Verstärker und ADCs besprechen, die benötigt werden, um die benötigten hohen Ströme und hohen Spannungen genau und ohne Verluste zu messen.

Einführung in schaltende DC/DC-Wandler, Herausforderungen und Möglichkeiten beim Entwurf

Puneet Sareen Dienstag 14.2.23 um 17:00

DC-DC-Wandler sind ein wesentlicher Bestandteil der Leistungselektronik. Ihre spannungsändernden Fähigkeiten werden für Leistungsumwandlungsanwendungen genutzt. Da die Nachfrage nach verschiedenen Ausgangsspannungsniveaus zunimmt, steigt auch die Nachfrage nach neuen Wandlertopologien, die diesen Anforderungen in Bezug auf Leistung und Umwandlungseffizienz gerecht werden können. DC/DC-Wandler werden häufig eingesetzt, um effizient eine geregelte Spannung von einer Quelle, die gut geregelt sein kann oder auch nicht, zu einer Last, die konstant sein kann oder auch nicht, zu erzeugen. Ein DC/DC-Wandler im Schaltbetrieb speichert die Eingangsenergie periodisch und gibt sie dann bei einer anderen Spannung wieder an den Ausgang ab. Die Speicherung kann entweder in einer Magnetfeldkomponente wie einer Spule oder einem Transformator oder in einer elektrischen Feldkomponente wie einem Kondensator erfolgen. Die Ausgangsspannung kann auch niedriger oder höher als die Eingangsspannung sein. Diese Vorlesung gibt eine kurze Einführung in DC-DC-Wandler, gängige Topologien, diskutiert wichtige Parameter und Anwendungen von DC-DC-Wandlern, Herausforderungen bei der Konstruktion, Kompromisse bei der Leistung und Konstruktionstricks.

Analoge Front-End-Schnittstellen für MEMS-Sensoren

Francesco Diazzi Dienstag 14.03.23 um 17:00

Modellierung und Entwurf einer Schnittstellenschaltung für hybride Energyharvester

Ankesh Jain - Dienstag 7.6.22 um 17:00

In dieser Arbeit wird die Modellierung eines hybriden Energiegewinnungsgeräts mit piezoelektrischen und elektromagnetischen Wandlern auf Systemebene vorgestellt, um dessen Ausgangsleistung zu optimieren. Die entworfenen Schaltungen werden für CMOS 180 nm Prozesse simuliert und die Spitzenverbesserung, die mit der vorgeschlagenen Technik erzielt wird, beträgt mehr als das 1,3-fache der kombinierten Leistung, wenn sie einzeln harvestet wird.

CMOS Integrierte Sensoren und Sensor-Interfaces

Matthias Völker - Dienstag 21.06.22 um 17:00

Einführung in die Arbeit der Abteilung für integrierte Sensorsysteme am Fraunhofer IIS, Erlangen. Das Spektrum reicht von CMOS-integrierten Sensorelementen über Sensor-Interface-Schaltungen und wichtigen Bausteinen bis hin zu kompletten Sensorsystemen auf einem einzigen Chip.

Innovation im Bereicht ESD und deren Bedeutung für integrierte Schaltungen

Harald Gossner - Dienstag 5.7.22 um 17:00

ESD gewinnt immer an Bedeutung, da die Prozessknoten immer kleiner werden. In diesem Vortrag werden neue Entwicklungen und deren Bedeutung vorgestellt.

Presentation Bosch Sensortec

Andreas Täuber - Mittwoch 13.07.2022 um 17:00

Abstract wird nachgereicht.

Entwurf eines Hochgeschwindigkeits-CTDSM

Ankesh Jain - Dienstag 19.7.22 um 17:00

Zeitkontinuierliche Delta-Sigma-Modulatoren auf der Basis von 1-Bit-Quantisierern mit FIR-Rückkopplung vereinen die Vorteile von Ein-Bit- und Mehr-Bit-Betrieb. Wir zeigen, dass die Verwendung einer solchen Schnittstelle die Ausgangsdaten des Modulators effektiv randomisiert und den Hochfrequenzanteil reduziert, wodurch die Bandbreitenanforderungen an die Testausrüstung verringert werden. Außerdem wird die Beeinträchtigung der Modulatorleistung durch Gehäuse-Durchführungseffekte verringert.  Experimentelle Ergebnisse von einem Testchip in 90nm CMOS zeigen, dass die vorgeschlagene Schnittstelle die obere Abtastfrequenzgrenze eines bestehenden Ein-Bit-CTDSM von 3,6 GHz auf 4,4 GHz erweitert.

Charakterisierung eines Hochgeschwindigkeits-CTDSM

Ankesh Jain - Mittwoch 27.7.22 um 17:00

Zeitkontinuierliche Delta-Sigma-Modulatoren auf der Basis von 1-Bit-Quantisierern mit FIR-Rückkopplung vereinen die Vorteile von Ein-Bit- und Mehr-Bit-Betrieb. Wir zeigen, dass die Verwendung einer solchen Schnittstelle die Ausgangsdaten des Modulators effektiv randomisiert und den Hochfrequenzanteil reduziert, wodurch die Bandbreitenanforderungen an die Testausrüstung verringert werden. Außerdem wird die Beeinträchtigung der Modulatorleistung durch Gehäuse-Durchführungseffekte verringert.  Experimentelle Ergebnisse von einem Testchip in 90nm CMOS zeigen, dass die vorgeschlagene Schnittstelle die obere Abtastfrequenzgrenze eines bestehenden Ein-Bit-CTDSM von 3,6 GHz auf 4,4 GHz erweitert.