Vorträge von Gastwissentschaftler und Experten

Integrationstechnologien für Sensoren und ICs auf flexiblen Foliensubstraten

Landesberger Christof Dienstag 15.11.22 um 17:00

Es werden Technologien für die Montage und Verbindung von nackten ICs auf flexiblen Foliensubstraten erläutert. Ergebnisse früherer Forschungsarbeiten an der Fraunhofer EMFT zur mechanischen Stabilität von ultradünnen Siliziumchips (bis zu 12 µm Dicke) auf Polyimid-Foliensubstraten werden gezeigt. Einige Anwendungsbeispiele für dünne und flexible Elektronik werden ebenfalls vorgestellt.

Präzisionsmessungen in der neuen Generation von Energieumwandlungssystemen mit hoher Leistung

Misha Ivanov Dienstag 31.1.23 um 17:00

Die Energiewende ist in unserer Gesellschaft in vollem Gange, und wir verwenden in vielen Bereichen unseres Lebens zunehmend Hochspannungs- und Hochstromwandlersysteme.  Die Generatoren für erneuerbare Energien, Elektrofahrzeuge und ihre Ladegeräte, Motorantriebe und ähnliche Geräte verarbeiten routinemäßig Spannungen zwischen 800 V und 2000 V und Ströme bis zu 1000 A.  Um die hohe Effizienz und Sicherheit dieser Geräte zu gewährleisten, müssen die Spannungen und Ströme in vielerlei Hinsicht sehr genau gemessen werden: zur Steuerung der Schaltvorgänge von Leistungs-SiC-, GaN- oder IGBT-Transistoren, zur präzisen Messung des Ladezustands der Batterie oder zur Abrechnung und zur Erkennung kleinster Isolationsfehler, die den Benutzer gefährden könnten.   Wir werden die Präzisionssensoren, Verstärker und ADCs besprechen, die benötigt werden, um die benötigten hohen Ströme und hohen Spannungen genau und ohne Verluste zu messen.

DC/DC Wandler

Puneet Sareen Dienstag 14.2.23 um 17:00

 

 

 

 

Analoge Front-End-Schnittstellen für MEMS-Sensoren

Francesco Diazzi Dienstag 14.03.23 um 17:00

 

 

 

 

Bisherige Vorträge von Gastwissentschaftler und Experten

Modellierung und Entwurf einer Schnittstellenschaltung für hybride Energyharvester

Ankesh Jain - Dienstag 7.6.22 um 17:00

In dieser Arbeit wird die Modellierung eines hybriden Energiegewinnungsgeräts mit piezoelektrischen und elektromagnetischen Wandlern auf Systemebene vorgestellt, um dessen Ausgangsleistung zu optimieren. Die entworfenen Schaltungen werden für CMOS 180 nm Prozesse simuliert und die Spitzenverbesserung, die mit der vorgeschlagenen Technik erzielt wird, beträgt mehr als das 1,3-fache der kombinierten Leistung, wenn sie einzeln harvestet wird.

 

CMOS Integrierte Sensoren und Sensor-Interfaces

Matthias Völker - Dienstag 21.06.22 um 17:00

Einführung in die Arbeit der Abteilung für integrierte Sensorsysteme am Fraunhofer IIS, Erlangen. Das Spektrum reicht von CMOS-integrierten Sensorelementen über Sensor-Interface-Schaltungen und wichtigen Bausteinen bis hin zu kompletten Sensorsystemen auf einem einzigen Chip.

 

Innovation im Bereicht ESD und deren Bedeutung für integrierte Schaltungen

Harald Gossner - Dienstag 5.7.22 um 17:00

ESD gewinnt immer an Bedeutung, da die Prozessknoten immer kleiner werden. In diesem Vortrag werden neue Entwicklungen und deren Bedeutung vorgestellt.

 

Presentation Bosch Sensortec

Andreas Täuber - Mittwoch 13.07.2022 um 17:00

Abstract wird nachgereicht.

 

Entwurf eines Hochgeschwindigkeits-CTDSM

Ankesh Jain - Dienstag 19.7.22 um 17:00

Zeitkontinuierliche Delta-Sigma-Modulatoren auf der Basis von 1-Bit-Quantisierern mit FIR-Rückkopplung vereinen die Vorteile von Ein-Bit- und Mehr-Bit-Betrieb. Wir zeigen, dass die Verwendung einer solchen Schnittstelle die Ausgangsdaten des Modulators effektiv randomisiert und den Hochfrequenzanteil reduziert, wodurch die Bandbreitenanforderungen an die Testausrüstung verringert werden. Außerdem wird die Beeinträchtigung der Modulatorleistung durch Gehäuse-Durchführungseffekte verringert.  Experimentelle Ergebnisse von einem Testchip in 90nm CMOS zeigen, dass die vorgeschlagene Schnittstelle die obere Abtastfrequenzgrenze eines bestehenden Ein-Bit-CTDSM von 3,6 GHz auf 4,4 GHz erweitert.

 

Charakterisierung eines Hochgeschwindigkeits-CTDSM

Ankesh Jain - Mittwoch 27.7.22 um 17:00

Zeitkontinuierliche Delta-Sigma-Modulatoren auf der Basis von 1-Bit-Quantisierern mit FIR-Rückkopplung vereinen die Vorteile von Ein-Bit- und Mehr-Bit-Betrieb. Wir zeigen, dass die Verwendung einer solchen Schnittstelle die Ausgangsdaten des Modulators effektiv randomisiert und den Hochfrequenzanteil reduziert, wodurch die Bandbreitenanforderungen an die Testausrüstung verringert werden. Außerdem wird die Beeinträchtigung der Modulatorleistung durch Gehäuse-Durchführungseffekte verringert.  Experimentelle Ergebnisse von einem Testchip in 90nm CMOS zeigen, dass die vorgeschlagene Schnittstelle die obere Abtastfrequenzgrenze eines bestehenden Ein-Bit-CTDSM von 3,6 GHz auf 4,4 GHz erweitert.