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Number     Publication
     Number
Publication
   Date
  Inventors     Title
397 KR101965459 (B1) 3.4.2019 LEE SANG HYUN [KR]; DUNGA MOHAN [IN]; HIGASHITANI MASAAKI [JP]; PHAM TUAN [US]; KREUPL FRANZ [DE] P-/ P-/METAL FLOATING GATE NON-VOLATILE STORAGE ELEMENT
396 KR201783499 (B1) 29.09.2017 KREUPL FRANZ [DE]; PING ER XUAN [US]; ZHANG JINGYAN [US]; XU HUIWEN [CN] MEMORY CELL WITH CARBON SWITCHING MATERIAL HAVING A REDUCED CROSS-SECTIONAL AREA AND METHODS FOR FORMING THE SAME
395 EP000002583322B1 05.04.2017 KREUPL FRANZ, US ; SHRIVASTAVA RITU, US   MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS AND LATERAL ARRANGEMENT
394 EP000002583324B1 05.04.2017 FU CHU-CHEN, US; KREUPL FRANZ, US; NIAN YIBO, US MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS INCLUDING BREAKDOWN LAYER
393 EP 2583323 B1 20.04.2016 KREUPL FRANZ, US ; MAKALA RAGHUVEER S, US ; RABKIN PETER, US ; SAMACHISA GEORGE, US ; BANDYOPADHYAY ABHIJIT, US ; CHEN YUNG-TIN, US ; FU CHU-CHEN, US ; JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI, US ; KAI JAMES, US ; ZHANG JINGYAN, US   COMPOSITION OF MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS
392 EP 2539936 B1 06.04.2016 KREUPL FRANZ, DE ; XU HUIWEN, US ; ZHANG JINGYAN, US  METHODS FOR FORMING A MEMORY CELL WITH SILICON-CONTAINING CARBON SWITCHING LAYER 
391 CN103168372 B 25.11.2015 弗朗茨·克罗伊普尔, 阿比吉特·班迪奥帕迪亚伊, 陈荣庭, 傅竹晨, 维普尔·彭西里·贾亚塞卡拉, 詹姆斯·凯, 拉古维尔·S·马卡拉, 彼得·拉布金, 乔治·萨马基沙, 张京燕 具有电阻开关层的存储单元的组合
390 US 9177995 B2 03.11.2015 Martin Gutsche; Franz Kreupl; Harald Seidl Vertical interconnect structure, memory device and associated production method
389 EP 2559068 B8 08.07.2015 KREUPL FRANZ, DE PING ER-XUAN, US XU HUIWEN, US ZHANG JINGYAN, US MEMORY CELL WITH CARBON SWITCHING MATERIAL HAVING A REDUCED CROSS-SECTIONAL AREA AND METHODS FOR FORMING THE SAME
388 EP 2548238 B8 17.06.2015 KREUPL FRANZ, US ; MAKALA RAGHUVEER S, US ; SEKAR DEEPAK CHANDRA, US  METHOD OF FORMING BOTTOM ELECTRODES FOR USE WITH METAL OXIDE RESISTIVITY SWITCHING LAYERS
387 CN 103003971 B 03.06.2015 FU CHU-CHEN; KREUPL FRANZ; NIAN YIBO 弗朗茨·克罗伊普尔, 付初辰, 年一波

具有包括击穿层的电阻开关层的存储单元[EN] Memory cell with resistance-switching layers including breakdown layer

386 EP 2559068 B1 20.05.2015 KREUPL FRANZ, DE ; PING ER-XUAN, US ; XU HUIWEN, US ; ZHANG JINGYAN, US   MEMORY CELL WITH CARBON SWITCHING MATERIAL HAVING A REDUCED CROSS-SECTIONAL AREA AND METHODS FOR FORMING THE SAME
385 US 9034689 B2 19.05.2015 Sekar; Deepak C. (San Jose, CA), Kreupl; Franz (Mountain View, CA), Rabkin; Peter (Cupertino, CA), Fu; Chu-Chen (San Ramon, CA) Non-volatile storage with metal oxide switching element and methods for fabricating the same
384 EP 2548238 B1 22.04.2015 SEKAR DEEPAK CHANDRA, US; KREUPL FRANZ, US ; MAKALA RAGHUVEER S, US     METHOD OF FORMING BOTTOM ELECTRODES FOR USE WITH METAL OXIDE RESISTIVITY SWITCHING LAYERS
383 CN 102986048 B 1.04.2015 KREUPL FRANZ; SHRIVASTAVA RITU 弗朗茨·克罗伊普尔, 里图·什里瓦斯塔瓦

具有电阻开关层以及侧向布置的存储单元
[EN] Memory cell with resistance-switching layers and lateral arrangement

 

382 US 8987046 B2 24.03.2015 SEKAR DEEPAK C, US; KREUPL FRANZ, US MAKALA RAGHUVEER S, US RABKIN PETER, US [EN] Trap passivation in memory cell with metal oxide switching element
381 DE000010250830B4 26.02.2015 Graham, Andrew, Hoffmann, Franz, Hönlein, Wolfgang, Kretz, Johannes, Kreupl, Franz, Landgraf, Erhard, Luyken, R. Johannes, Rösner, Wolfgang, Schulz, Thomas, Specht, Michael, Verfahren zum Herstellung eines Schaltkreis-Arrays
380 DE102007011837B4 29.01.2015 FRANZ KREUPL Integrierter Schaltkreis mit modifizierbarem Gate-Stapel-Speicherelement, Verwendung des integrierten Schaltkreises, Verfahren zum Herstellen eines integrierten Schaltkreises, sowie Speichermodul, System und hybrides Massenspeichersystem
379

US 8912654 B2

16.12.2014 KREUPL FRANZ, HEDLER HARRY [EN] Semiconductor chip with integrated via
378 US 8772749 B2 08.07.2014 KREUPL FRANZ, DE ; MAKALA RAGHUVEER S, US ; SEKAR DEEPAK CHANDRA, US   [EN] Bottom electrodes for use with metal oxide resistivity switching layers
377 DE102007001130B4 03.07.2014 Hedler, Harry,  Irsigler, Roland,  Kreupl, Franz, Verfahren zum Herstellen einer Durchkontaktierung in einer Schicht und Anordnung mit einer Schicht mit Durchkontaktierung
376 US 8742387 B2 03.06.2014 Happ; Thomas (Dresden, DE), Kreupl; Franz (Munich, DE), Philipp; Jan Boris (Munich, DE), Majewski; Petra (Munich, DE) Resistive memory devices with improved resistive changing elements
375 US 8737111 B2 27.05.2014 Kreupl; Franz (Munchen, DE), Costa; Xiying (San Jose, CA), Kai; James (Santa Clara, CA), Makala; Raghuveer S. (Sunnyvale, CA)

Memory cell with resistance-switching layers

374 KR20140052984 (A) 07.05.2014 LEE SANG HYUN [KR]; DUNGA MOHAN [IN]; HIGASHITANI MASAAKI [JP]; PHAM TUAN [US]; KREUPL FRANZ [DE] P-/METAL FLOATING GATE NON-VOLATILE STORAGE ELEMENT
373 US 8686419 B2 01.04.2014 Kreupl; Franz (Mountain View, CA), Sekar; Deepak C (San Jose, CA)

Structure and fabrication method for resistance-change memory cell in 3-D memory

372 US 8664657 B2 04.03.2014 DUESBERG GEORG, DE ; KREUPL FRANZ, DE ; SEIDEL ROBERT, DE ; STEINLESBERGER GERNOT, DE Electrical circuit with a nanostructure and method for producing a contact connection of a nanostructure
371 EP2689451 (A1) 29.01.2014 LEE SANGHYUN [US]; DUNGA MOHAN [US]; HIGASHITANI MASAAKI [US]; PHAM TUAN [US]; KREUPL FRANZ [US] P-/METAL FLOATING GATE NON-VOLATILE STORAGE ELEMENT
370 US 8624293 B2 07.01.2014 BANDYOPADHYAY ABHIJIT, US KREUPL FRANZ, US MIHNEA ANDREI, US XIAO LI, US Carbon/tunneling-barrier/carbon diode
369 US2013234099 (A1) 12.09.2013 SEKAR DEEPAK C [US]; KREUPL FRANZ [US]; MAKALA RAGHUVEER S [US]; RABKIN PETER [US]; FU CHU-CHEN [US]; ZHANG TONG [US] US2013234099  (A1)  -  NON-VOLATILE STORAGE WITH METAL OXIDE SWITCHING ELEMENT AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME
368 JP2013534724  (A) 05.09.2013 KREUPL FRANZ [DE]; BANDYOPADHYAY ABHIJIT [US]; CHEN YUNG TIN [US]; FU CHU CHEN [US]; JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI [US]; KAI JAMES [US]; MAKALA RAGHUVEER S [IN]; RABKIN PETER [US]; SAMACHISA GEORGE [US]; ZHANG JINGYAN [US] Memory Cell With Resistance-Switching Layers
367 JP2013534723  (A) 05.09.2013 KREUPL FRANZ [DE]; BANDYOPADHYAY ABHIJIT [US]; CHEN YUNG TIN [US]; FU CHU CHEN [US]; JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI [US]; KAI JAMES [US]; MAKALA RAGHUVEER S [IN]; RABKIN PETER [US]; SAMACHISA GEORGE [US]; ZHANG JINGYAN [US] Memory Cell With Resistance-Switching Layers
366 JP2013534722  (A) 05.09.2013 KREUPL FRANZ [DE]; BANDYOPADHYAY ABHIJIT [US]; CHEN YUNG TIN [US]; FU CHU CHEN [US]; JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI [US]; KAI JAMES [US]; MAKALA RAGHUVEER S [IN]; RABKIN PETER [US]; SAMACHISA GEORGE [US]; ZHANG JINGYAN [US] Memory Cell With Resistance-Switching Layers
365 KR20130097139  (A) 02.09.2013 KREUPL FRANZ [DE]; BANDYOPADHYAY ABHIJIT [US]; CHEN YUNG TIN [US]; FU CHU CHEN [US]; JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI [US]; KAI JAMES [US]; MAKALA RAGHUVEER S [IN]; RABKIN PETER [US]; SAMACHISA GEORGE [US]; ZHANG JINGYAN [US COMPOSITION OF MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS
364 US2013221311(A1) 29.08.2013 SEKAR DEEPAK C [US]; KREUPL FRANZ [US]; MAKALA RAGHUVEER S [US]; RABKIN PETER [US] TRAP PASSIVATION IN MEMORY CELL WITH METAL OXIDE SWITCHING ELEMENT
363

US 8520424 B2

27.08.2013 BANDYOPADHYAY ABHIJIT, US CHEN YUNG-TIN, US FU CHU-CHEN, US JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI, US KAI JAMES, US KREUPL FRANZ, DE MAKALA RAGHUVEER S, US RABKIN PETER, US SAMACHISA GEORGE, US ZHANG JINGYAN, US Composition of memory cell with resistance-switching layers
362

US 8503229 B2

06.08.2013 DUNGA MOHAN, US HIGASHITANI MASAAKI, US KREUPL FRANZ, DE LEE SANGHYUN, US PHAM TUAN, US P-/Metal floating gate non-volatile storage element
361 US 8487292 B2 16.07.2013 SEKAR DEEPAK C, US; KREUPL FRANZ, US [EN] Resistance-switching memory cell with heavily doped metal oxide layer
360 US 8471360 B2 25.06.2013 Kreupl; Franz (Mountain View, CA), Ping; Er-Xuan (Fremont, CA), Zhang; Jingyan (Santa Clara, CA), Xu; Huiwen (Sunnyvale, CA) MEMORY CELL WITH CARBON SWITCHING MATERIAL HAVING A REDUCED CROSS-SECTIONAL AREA AND METHODS FOR FORMING THE SAME
359 CN000103168372A 19.06.2013 BANDYOPADHYAY ABHIJIT CHEN YUNG-TIN FU CHU-CHEN JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI KAI JAMES KREUPL FRANZ MAKALA RAGHUVEER S RABKIN PETER SAMACHISA GEORGE ZHANG JINGYAN [EN] Composition of memory cell with resistance-switching layers
358 JP2013524551 (A) 17.06.2013 KREUPL FRANZ [DE]; PING ER XUAN [US]; ZHANG JINGYAN [US]; XU HUIWEN [CN] MEMORY CELL WITH CARBON SWITCHING MATERIAL HAVING A REDUCED CROSS-SECTIONAL AREA AND METHODS FOR FORMING THE SAME
357 KR20130056860A 30.05.2013 KREUPL FRANZ [DE]; PING ER XUAN [US]; ZHANG JINGYAN [US]; XU HUIWEN [CN] MEMORY CELL WITH CARBON SWITCHING MATERIAL HAVING A REDUCED CROSS-SECTIONAL AREA AND METHODS FOR FORMING THE SAME
356 KR20130056205A 29.05.2013 KREUPL FRANZ [DE]; ZHANG JINGYAN [US]; XU HUIWEN [CN] MEMORY CELL WITH SILICON-CONTAINING CARBON SWITCHING LAYER AND METHODS FOR FORMING THE SAME
355 US2013126821A1 23.05.2013 Sekar; Deepak Chandra; (San Jose, CA) ; Kreupl; Franz; (Munchen, DE) ; Makala; Raghuveer S.; (Sunnyvale, CA) BOTTOM ELECTRODES FOR USE WITH METAL OXIDE RESISTIVITY SWITCHING LAYERS
354 US000008435831B2 07.05.2013 KREUPL FRANZ, US MAKALA RAGHUVEER, US RABKIN PETER, US SEKAR DEEPAK C, US Non-volatile storage with metal oxide switching element and methods for fabricating the same
353 EP000002583322A2 24.04.2013 KREUPL FRANZ, US SHRIVASTAVA RITU, US  [DE] SPEICHERZELLE MIT WIDERSTANDSSCHALTSCHICHTEN UND LATERIALER ANORDNUNG [EN] MEMORY CELL WITH RESISTANCE- SWITCHING LAYERS AND LATERAL ARRANGEMENT [FR] CELLULE DE MÉMOIRE AVEC COUCHES À COMMUTATION ... 
352 EP000002583323A2 24.04.2013  BANDYOPADHYAY ABHIJIT, US CHEN YUNG-TIN, US FU CHU-CHEN, US JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI, US KAI JAMES, US KREUPL FRANZ, US MAKALA RAGHUVEER S, US RABKIN PETER, US SAMACHISA GEORGE, US ZHANG JINGYAN, US  [DE] ZUSAMMENSETZUNG EINER SPEICHERZELLE MIT WIDERSTANDSSCHALTSCHICHTEN [EN] COMPOSITION OF MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS [FR] COMPOSITION DE CELLULE DE MÉMOIRE AVEC COUCHES À COMMUTATION ... 
351 EP000002583324A1 24.04.2013 FU CHU-CHEN, US KREUPL FRANZ, US NIAN YIBO, US   [DE] SPEICHERZELLE MIT WIDERSTANDSSCHALTSCHICHTEN UND EINER DURCHBRUCHSCHICHT [EN] MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS INCLUDING BREAKDOWN LAYER [FR] CELLULE MÉMOIRE DOTÉE DE COUCHES À COMMUTATION ... 
350  US000008420526B2 16.04.2013 GUTSCHE MARTIN, DE KREUPL FRANZ, DE SEIDL HARALD, DE   [EN] Vertical interconnect structure, memory device and associated production method 
349 KR102013036279A 11.04.2013 KREUPL FRANZ, US SHRIVASTAVA RITU, US [EN] MEMORY CELL WITH RESISTANCE- SWITCHING LAYERS AND LATERAL ARRANGEMENT
348 KR102013036292A 11.04.2013 KREUPL FRANZ [US]; FU CHU CHEN [US]; NIAN YIBO [CN] MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS INCLUDING BREAKDOWN LAYER
347 CN000103003971A 27.03.2013 FU CHU-CHEN KREUPL FRANZ NIAN YIBO [EN] MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS INCLUDING BREAKDOWN LAYER
346 CN000102986048A 20.03.2013 KREUPL FRANZ SHRIVASTAVA RITU [EN] Memory cell with resistance-switching layers and lateral arrangement
345 US000008395926B2 12.03.2013 KREUPL FRANZ, DE SHRIVASTAVA RITU, US  Memory cell with resistance-switching layers and lateral arrangement
344 US000008395927B2 12.03.2013 FU CHU-CHEN, US KREUPL FRANZ, DE NIAN YIBO, US  Memory cell with resistance-switching layers including breakdown layer 
343 EP000002559068A1 20.02.2013 KREUPL FRANZ, DE PING ER-XUAN, US XU HUIWEN, US ZHANG JINGYAN, US [DE] SPEICHERZELLE MIT KOHLENSTOFFSCHALTMATERIAL MIT VERRINGERTEM QUERSCHNITTSBEREICH UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR [EN] MEMORY CELL WITH CARBON SWITCHING MATERIAL HAVING A REDUCED CROSS-SECTIONAL ...
342 CN000102939655A 20.02.2013 KREUPL FRANZ PING ER-XUAN XU HUIWEN ZHANG JINGYAN [EN] Memory cell with carbon switching material having a reduced cross-sectional area and methods for forming the same
341 EP000002548238A1 23.01.2013 KREUPL FRANZ, US MAKALA RAGHUVEER S, US SEKAR DEEPAK CHANDRA, US [DE] BODENELEKTRODEN ZUR VERWENDUNG MIT METALLOXIDWIDERSTANDSSCHALTSCHICHTEN [EN] BOTTOM ELECTRODES FOR USE WITH METAL OXIDE RESISTIVITY SWITCHING LAYERS [FR] ÉLECTRODES INFÉRIEURES POUR UNE UTILISATION ...
340 EP000002548239A1 23.01.2013 KREUPL FRANZ, US MAKALA RAGHUVEER S, US SEKAR DEEPAK CHANDRA, US [DE] BODENELEKTRODEN ZUR VERWENDUNG MIT METALLOXIDWIDERSTANDSSCHALTSCHICHTEN [EN] BOTTOM ELECTRODES FOR USE WITH METAL OXIDE RESISTIVITY SWITCHING LAYERS [FR] ÉLECTRODES INFÉRIEURES POUR UNE UTILISATION ...
339 KR102013007572A  18.01.2013 KREUPL FRANZ, DE MAKALA RAGHUVEER S, IN SEKAR DEEPAK CHANDRA, IN  BOTTOM ELECTRODES FOR USE WITH METAL OXIDE RESISTIVITY SWITCHING LAYERS
338 KR102013007571A  18.01.2013 KREUPL FRANZ, DE MAKALA RAGHUVEER S, IN SEKAR DEEPAK CHANDRA, IN  BOTTOM ELECTRODES FOR USE WITH METAL OXIDE RESISTIVITY SWITCHING LAYERS
337 US000008354660B2 15.01.2013 KREUPL FRANZ, DE MAKALA RAGHUVEER S, US SEKAR DEEPAK CHANDRA, US [EN] Bottom electrodes for use with metal oxide resistivity switching layers
336 CN000102870246A 09.01.2013 BANDYOPADHYAY ABHIJIT KREUPL FRANZ LI XIAO MIHNEA ANDREI [EN] Carbon/tunneling-barrier/carbon diode
335 EP000002539936A2 02.01.2013 KREUPL FRANZ, US XU HUIWEN, US ZHANG JINGYAN, US [DE] SPEICHERZELLE MIT SILIZIUMHALTIGER KOHLENSTOFFSCHALTSCHICHT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR [EN] MEMORY CELL WITH SILICON-CONTAINING CARBON SWITCHING LAYER AND METHODS FOR FORMING THE SAME [FR] ...
334 US020120305873A1 06.12.2012 GUTSCHE MARTIN, DE KREUPL FRANZ, DE SEIDL HARALD, DE [EN] VERTICAL INTERCONNECT STRUCTURE, MEMORY DEVICE AND ASSOCIATED PRODUCTION METHOD
333 US000008319259B2 27.11.2012 KREUPL FRANZ, DE SEIDEL ROBERT, DE [EN] Semiconductor power switch having nanowires
332 EP000002513994A2 24.10.2012 BANDYOPADHYAY ABHIJIT, US KREUPL FRANZ, US LI XIAO, US MIHNEA ANDREI, US [DE] KOHLENSTOFF/TUNNELBARRIERE/KOHLENSTOFFDIODE [EN] CARBON/TUNNELING-BARRIER/CARBON DIODE [FR] DIODE CARBONE/BARRIÈRE-TUNNEL/CARBONE
331 EP000001706906B1 03.10.2012 KREUPL FRANZ, DE SEIDEL ROBERT, DE [DE] HALBLEITER-LEISTUNGSSCHALTER MIT NANODRÄHTEN SOWIE DAFÜR GEEIGNETES HERSTELLUNGSVERFAHREN [EN] POWER SEMICONDUCTOR SWITCH HAVING NANOWIRES AND SUITABLE PRODUCTION METHOD THEREFOR [FR] COMMUTATEUR ...
330 TW000201240022A 01.10.2012 DUNGA MOHAN, IN HIGASHITANI MASAAKI, JP KREUPL FRANZ, DE LEE SANG-HYUN, KR PHAM TUAN, US [EN] P-/metal floating gate non-volatile storage element
329 WO002012129032A1 27.09.2012 DUNGA MOHAN, US HIGASHITANI MASAAKI, US KREUPL FRANZ, DE LEE SANGHYUN, US PHAM TUAN, US [EN] P-/METAL FLOATING GATE NON-VOLATILE STORAGE ELEMENT [FR] ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATILE À GRILLE FLOTTANTE DU TYPE P-/MÉTAL
328 US020120243337A1 27.09.2012 DUNGA MOHAN, US HIGASHITANI MASAAKI, US KREUPL FRANZ, DE LEE SANGHYUN, US PHAM TUAN, US [EN] P-/METAL FLOATING GATE NON-VOLATILE STORAGE ELEMENT
327 US000008254166B2 28.08.2012 GRUENING-VON SCHWERIN ULRIKE, DE KLOSTERMAN ULRICH, DE KREUPL FRANZ, DE [EN] Integrated circuit including doped semiconductor line having conductive cladding
326 WO002011159582A4 23.08.2012 KREUPL FRANZ, US SHRIVASTAVA RITU, US [EN] MEMORY CELL WITH RESISTANCE- SWITCHING LAYERS AND LATERAL ARRANGEMENT [FR] CELLULE DE MÉMOIRE AVEC COUCHES À COMMUTATION DE RÉSISTANCE ET DISPOSITION LATÉRALE
325 US000008237146B2 07.08.2012 KREUPL FRANZ, US XU HUIWEN, US ZHANG JINGYAN, US [EN] Memory cell with silicon-containing carbon switching layer and methods for forming the same
324 WO002011159583A4 02.08.2012 BANDYOPADHYAY ABHIJIT, US CHEN YUNG-TIN, US FU CHU-CHEN, US JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI, US KAI JAMES, US KREUPL FRANZ, DE MAKALA RAGHUVEER S, US RABKIN PETER, US SAMACHISA GEORGE, US ZHANG JINGYAN, US [EN] COMPOSITION OF MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS [FR] COMPOSITION DE CELLULE DE MÉMOIRE AVEC COUCHES À COMMUTATION DE RÉSISTANCE
323 US000008216639B2 10.07.2012 DUESBERG GEORG, DE KREUPL FRANZ, DE LIEBAU MAIK, DE UNGER EUGEN, DE [EN] Methods for elimination or reduction of oxide and/or soot deposition in carbon containing layers
322 US000008216862B2 10.07.2012 KREUPL FRANZ, US SEKAR DEEPAK C, US [EN] Forming and training processes for resistance-change memory cell
321 WO002011159582A3 05.07.2012 KREUPL FRANZ, US SHRIVASTAVA RITU, US [EN] MEMORY CELL WITH RESISTANCE- SWITCHING LAYERS AND LATERAL ARRANGEMENT [FR] CELLULE DE MÉMOIRE AVEC COUCHES À COMMUTATION DE RÉSISTANCE ET DISPOSITION LATÉRALE
320 WO002011159583A3 14.06.2012 BANDYOPADHYAY ABHIJIT, US CHEN YUNG-TIN, US FU CHU-CHEN, US JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI, US KAI JAMES, US KREUPL FRANZ, DE MAKALA RAGHUVEER S, US RABKIN PETER, US SAMACHISA GEORGE, US ZHANG JINGYAN, US [EN] COMPOSITION OF MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS [FR] COMPOSITION DE CELLULE DE MÉMOIRE AVEC COUCHES À COMMUTATION DE RÉSISTANCE
319 WO002011159581A3 19.04.2012 COSTA XIYING, US KAI JAMES, US KREUPL FRANZ, DE MAKALA RAGHUVEER S, US [EN] MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS [FR] CELLULE DE MÉMOIRE AVEC COUCHES À COMMUTATION DE RÉSISTANCE
318 US020120091418A1 19.04.2012 CHEN YUNG-TIN, US HOU KUN, US KREUPL FRANZ, US MAXWELL STEVEN, US [EN] BIPOLAR STORAGE ELEMENTS FOR USE IN MEMORY CELLS AND METHODS OF FORMING THE SAME
317 WO002011159584A4 22.03.2012 FU CHU-CHEN, US KREUPL FRANZ, US NIAN YIBO, US [EN] MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS INCLUDING BREAKDOWN LAYER [FR] CELLULE MÉMOIRE DOTÉE DE COUCHES À COMMUTATION DE RÉSISTANCE COMPRENANT UNE COUCHE DE CLAQUAGE
316 TW000201212317A 16.03.2012 COSTA XIYING, US KAI JAMES, US KREUPL FRANZ, DE MAKALA RAGHUVEER S, IN [EN] Memory cell with resistance-switching layers
315 TW000201212318A 16.03.2012 KREUPL FRANZ, DE SHRIVASTAVA RITU, US [EN] Memory cell with resistance-switching layers and lateral arrangement
314 TW000201212319A 16.03.2012 BANDYOPADHYAY ABHIJIT, US CHEN YUNG-TIN, US FU CHU-CHEN, US JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI, US KAI JAMES, US KREUPL FRANZ, DE MAKALA RAGHUVEER S, IN RABKIN PETER, US SAMACHISA GEORGE, US ZHANG JINGYAN, US [EN] Composition of memory cell with resistance-switching layers
313 TW000201209824A 01.03.2012 FU CHU-CHEN, US KREUPL FRANZ, DE NIAN YI-BO, CN [EN] Memory cell with resistance-switching layers including breakdown layer
312 EP000001800360B1 22.02.2012 DUESBERG GEORG, DE KREUPL FRANZ, DE SEIDEL ROBERT, DE STEINLESBERGER GERNOT, DE [DE] ELEKTRISCHER SCHALTKREIS MIT EINER NANOSTRUKTUR UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER KONTAKTIERUNG EINER NANOSTRUKTUR [EN] ELECTRICAL CIRCUIT WITH A NANOSTRUCTURE AND METHOD FOR CONTACTING A NANOSTRUCTURE ...
311 EP000001916722B1 18.01.2012 KREUPL FRANZ, DE KUND MICHAEL, DE UFERT KLAUS-DIETER, DE [DE] Karbonfilamentspeicher und Herstellungsverfahren dafür [EN] Carbon filament memory and fabrication method [FR] Mémoire de filament de carbone et procédé de fabrication
310 US000008097872B2 17.01.2012 KREUPL FRANZ, DE [EN] Modifiable gate stack memory element
309 TW000201203249A 16.01.2012 KREUPL FRANZ, DE SEKAR DEEPAK C, IN [EN] Structure and fabrication method for resistance-change memory cell in 3-D memory
308 TW000201203640A 16.01.2012 KREUPL FRANZ, DE PING ER-XUAN, US XU HUI-WEN, CN ZHANG JINGYAN, US [EN] Memory cell with carbon switching material having a reduced cross-sectional area and methods for forming the same
307 US000008084759B2 27.12.2011 KLOSTERMANN ULRICH, DE KREUPL FRANZ, DE SCHWERIN ULRIKE GRUENING-VON, DE [EN] Integrated circuit including doped semiconductor line having conductive cladding
306 WO002011159581A2 22.12.2011 COSTA XIYING, US KAI JAMES, US KREUPL FRANZ, DE MAKALA RAGHUVEER S, US [EN] MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS [FR] CELLULE DE MÉMOIRE AVEC COUCHES À COMMUTATION DE RÉSISTANCE
305 WO002011159582A2 22.12.2011 KREUPL FRANZ, US SHRIVASTAVA RITU, US [EN] MEMORY CELL WITH RESISTANCE- SWITCHING LAYERS AND LATERAL ARRANGEMENT [FR] CELLULE DE MÉMOIRE AVEC COUCHES À COMMUTATION DE RÉSISTANCE ET DISPOSITION LATÉRALE
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128 EP000001556909A1 27.07.2005 GRAHAM ANDREW, DE HOENLEIN WOLFGANG, DE HOFMANN FRANZ, DE KRETZ JOHANNES, DE KREUPL FRANZ, DE LANDGRAF ERHARD, DE LUYKEN RICHARD JOHANNES, DE ROESNER WOLFGANG, DE SCHULZ THOMAS, US SPECHT MICHAEL, DE [DE] VERTIKAL INTEGRIERTES BAUELEMENT, BAUELEMENT-ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES VERTIKAL INTEGRIERTEN BAUELEMENTS [EN] VERTICAL INTEGRATED COMPONENT, COMPONENT ARRANGEMENT AND METHOD FOR ...
127 WO002005033358A3 21.07.2005 GUTSCHE MARTIN, DE KREUPL FRANZ, DE PAMLER WERNER, DE SEIDEL ROBERT, DE [DE] VERFAHREN ZUR ABSCHEIDUNG EINES LEITFÄHIGEN MATERIALS AUF EINEM SUBSTRAT UND HALBLEITERKONTAKTVORRICHTUNG [EN] METHOD FOR DEPOSITING A CONDUCTIVE MATERIAL ON A SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR CONTACT ...
126 WO002005067075A1 21.07.2005 KREUPL FRANZ, DE SEIDEL ROBERT, DE [DE] VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES NANOELEMENT-FELDEFFEKTTRANSISTORS, NANOELEMENT-FELDEFFEKTTRANSISTOR MIT SURROUNDED GATE STRUKTUR [EN] METHOD FOR THE PRODUCTION A NANOELEMENT FIELD EFFECT TRANSISTOR, ...
125 DE000010344814B3 14.07.2005 DUESBERG GEORG, DE GRAHAM ANDREW, DE KREUPL FRANZ, DE [DE] Speichervorrichtung zur Speicherung elektrischer Ladung und Verfahren zu deren Herstellung
124 DE000010359889A1 14.07.2005 KRETZ JOHANNES, DE KREUPL FRANZ, DE SPECHT MICHAEL, DE STEINLESBERGER GERNOT, DE [DE] Steg-Feldeffekttransistor-Speicherzelle, Steg-Feldeffekttransistor-Speicherzellen-Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer Steg-Feldeffekttransistor-Speicherzelle [EN] Bridge field effect transistor ...
123 US020050148174A1 07.07.2005 DUSBERG GEORG S, DE GRAHAM ANDREW, DE KREUPL FRANZ, DE LIEBAU MAIK, DE UNGER EUGEN, DE [EN] Contact-connection of nanotubes
122 TW00000I235437B 01.07.2005 DUESBERG GEORG STEFAN, DE GRAHAM ANDREW, DE KREUPL FRANZ-MARTIN, DE LIEBAU MAIK, DE UNGER EUGEN, DE [EN] Nanotube contact-making
121 WO002005060000A2 30.06.2005 KRETZ JOHANNES, DE KREUPL FRANZ, DE SPECHT MICHAEL, DE STEINLESBERGER GERNOT, DE [DE] STEG-FELDEFFEKTTRANSISTOR-SPEICHERZELLE, STEG-FELDEFFEKTTRANSISTOR-SPEICHERZELLEN-ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER STEG-FELDEFFEKTTRANSISTOR-SPEICHERZELLE [EN] BRIDGE FIELD-EFFECT TRANSISTOR ...
120 DE000010345393A1 19.05.2005 Kreupl, Franz, 80802 München, DE Pamler, Werner, 80686 München, DE Seidel, Robert, 81539 München, DE [DE] Verfahren zur Abscheidung eines leitfähigen Materials auf einem Substrat und Halbleiterkontaktvorrichtung
119 DE000010345394A1 19.05.2005 GUTSCHE MARTIN, DE KREUPL FRANZ, DE [DE] Verfahren zum Herstellen von Speicherzellen und Speicherzellenfeld
118 US020050095780A1 05.05.2005 GUTSCHE MARTIN, DE KREUPL FRANZ, DE [EN] Method for fabricating memory cells and memory cell array
117 WO002005038814A1 28.04.2005 DUESBERG GEORG STEFAN, DE GRAHAM ANDREW, DE KREUPL FRANZ, DE [DE] SPEICHERVORRICHTUNG ZUR SPEICHERUNG ELEKTRISCHER LADUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG [EN] STORAGE DEVICE FOR STORING ELECTRIC CHARGE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME [FR] DISPOSITIF DE STOCKAGE ...
116 WO002005033358A2 14.04.2005 GUTSCHE MARTIN, DE KREUPL FRANZ, DE PAMLER WERNER, DE SEIDEL ROBERT, DE [DE] VERFAHREN ZUR ABSCHEIDUNG EINES LEITFÄHIGEN MATERIALS AUF EINEM SUBSTRAT UND HALBLEITERKONTAKTVORRICHTUNG [EN] METHOD FOR DEPOSITING A CONDUCTIVE MATERIAL ON A SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR CONTACT ...
115 DE000010335813A1 17.03.2005 KREUPL FRANZ, DE MIO HANNES, DE [DE] IC-Chip mit Nanowires
114 CN000001192427C 09.03.2005 ENGELHARDT M, DE KREUPL F, DE SCHWARZL S, DE [EN] Method for producing integrated circuit having at least one metallized surface
113 US020050029654A1 10.02.2005 KREUPL FRANZ, DE MIO HANNES, DE [EN] IC chip with nanowires
112 EP000001505646A1 09.02.2005 KREUPL FRANZ, DE MIO HANNES, DE [DE] IC-Chip mit Nanowire-Bauelemente und Nanowire-Attrappen [EN] IC-Chip with nanowire devices and dummy nanowire devices [FR] Puce IC avec des dispositifs nanofils et des dispositifs fictifs nanofils
111 DE000010331528A1 03.02.2005 Kreupl, Franz, Dr., 80802 München, DE Tews, Helmut, Dr., 81549 München, DE [DE] DRAM-Halbleiterspeicherzelle sowie Verfahren zu deren Herstellung
110 EP000001502299A2 02.02.2005 DUESBERG GEORG STEFAN, DE GRAHAM ANDREW, DE KREUPL FRANZ-MARTIN, DE LIEBAU MAIK, DE UNGER EUGEN, DE [DE] KONTAKTIERUNG VON NANORÖHREN [EN] CONTACTING OF NANOTUBES [FR] ETABLISSEMENT DES CONTACTS DE NANOTUBES
109 WO002005008770A1 27.01.2005 KREUPL FRANZ, DE TEWS HELMUT, DE [DE] DRAM-HALBLEITERSPEICHERZELLE SOWIE VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG [EN] DRAM-SEMI CONDUCTOR MEMORY CELL AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF [FR] CELLULE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE MEMOIRE ...
108 DE000010325334A1 05.01.2005 Kreupl, Franz, Dr., 80802 München, DE [DE] Verfahren zum Herstellen eines Substrats mit sublithographischen Bereichen [EN] Forming sublithographic regions on or in substrate, involves forming first sublithographic structure by anodic oxidation ...
107 US020040232426A1 25.11.2004 GRAHAM ANDREW, DE HOFMANN FRANZ, DE KRETZ JOHANNES, DE KREUPL FRANZ, DE LUYKEN RICHARD, DE ROSNER WOLFGANG, DE [EN] Nanotube array and method for producing a nanotube array
106 US020040233649A1 25.11.2004 HONLEIN WOLFGANG, DE KLOSE HELMUT, DE KLOSE HYANG-SOOK, DE KREUPL FRANZ, DE SIMBURGER WERNER, DE [EN] Electronic chip and electronic chip assembly
105 DE000010307815B3 11.11.2004 Graham, Andrew, Dr., 81547 München, DE Kreupl, Franz, Dr., 80802 München, DE Seidel, Robert, 81539 München, DE [DE] Integriertes elektronisches Bauelement mit gezielt erzeugten Nanoröhren in vertikalen Strukturen und dessen Herstellungsverfahren
104 US000006809361B2 26.10.2004 HONLEIN WOLFGANG, DE KREUPL FRANZ, DE [EN] Magnetic memory unit and magnetic memory array
103 US000006809379B2 26.10.2004 KREUPL FRANZ, DE [EN] Field effect transistor and method for producing a field effect transistor
102 WO002004051763A3 30.09.2004 HOFMANN FRANZ, DE KREUPL FRANZ, DE [DE] VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER SPEICHERZELLE, SPEICHERZELLE UND SPEICHERZELLEN-ANORDNUNG [EN] METHOD FOR THE PRODUCTION OF A MEMORY CELL, MEMORY CELL AND MEMORY CELL ARRANGEMENT [FR] PROCEDE DE ...
101 US000006798000B2 28.09.2004 HANEDER THOMAS PETER, DE HOENLEIN WOLFGANG, DE KREUPL FRANZ, DE LUYKEN RICHARD JOHANNES, DE SCHLOESSER TILL, DE [EN] Field effect transistor
100 US020040183110A1 23.09.2004 HONLEIN WOLFGANG, DE KREUPL FRANZ, DE [EN] MAGNETIC MEMORY UNIT AND MAGNETIC MEMORY ARRAY
99 EP000001454355A2 08.09.2004 HOENLEIN WOLFGANG, DE KREUPL FRANZ, DE STEINHOEGL WERNER, DE [DE] VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER SCHICHT-ANORDNUNG UND SCHICHT-ANORDNUNG [EN] METHOD FOR PRODUCING A LAYERED ASSEMBLY AND A LAYERED ASSEMBLY [FR] PROCEDE DE PRODUCTION D'UN SYSTEME STRATIFIE ET SYSTEME ...
98 WO002004075288A1 02.09.2004 GRAHAM ANDREW, DE KREUPL FRANZ, DE SEIDEL ROBERT, DE [DE] INTEGRIERTES ELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT GEZIELT ERZEUGTEN NANORÖHREN IN VERTIKALEN STRUKTUREN [EN] INTEGRATED ELECTRONIC COMPONENT HAVING SPECIFICALLY PRODUCED NANOTUBES IN VERTICAL STRUCTURES ...
97 US000006777731B2 17.08.2004 KREUPL FRANZ, DE [EN] Magnetoresistive memory cell with polarity-dependent resistance
96 WO002004040644A3 12.08.2004 GRAHAM ANDREW, DE HOENLEIN WOLFGANG, DE HOFMANN FRANZ, DE KRETZ JOHANNES, DE KREUPL FRANZ, DE LANDGRAF ERHARD, DE LUYKEN RICHARD JOHANNES, DE ROESNER WOLFGANG, DE SCHULZ THOMAS, DE SPECHT MICHAEL, DE [DE] SPEICHERZELLE, SPEICHERZELLEN-ANORDNUNG, STRUKTURIER-ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER SPEICHERZELLE [EN] MEMORY CELL, MEMORY CELL ARRANGEMENT, STRUCTURING ARRANGEMENT AND METHOD FOR ...
95 WO002003061004A3 29.07.2004 BREDERLOW RALF, DE ELBE ASTRID, DE KREUPL FRANZ, DE LUYKEN JOHANNES, DE NEUHAUSER ROBERT, DE PAULUS CHRISTIAN, DE SCHEPERS JOERG, DE THEWES ROLAND, DE [DE] VERFAHREN ZUR CODIERUNG UND AUTHENTIFIZIERUNG VON HALBLEITERSCHALTUNGEN [EN] METHOD FOR CODING AND AUTHENTICATING SEMICONDUCTOR CIRCUITS [FR] PROCEDE POUR CODER ET AUTHENTIFIER DES CIRCUITS DE SEMI-CONDUCTEURS
94 WO002003094226A3 22.07.2004 DUESBERG GEORG STEFAN, DE GRAHAM ANDREW, DE KREUPL FRANZ-MARTIN, DE LIEBAU MAIK, DE UNGER EUGEN, DE [DE] KONTAKTIERUNG VON NANORÖHREN [EN] CONTACTING OF NANOTUBES [FR] ETABLISSEMENT DES CONTACTS DE NANOTUBES
93 DE000010256486A1 15.07.2004 Hofmann, Franz, Dr., 80995 München, DE Kreupl, Franz, Dr., 80802 München, DE [DE] Verfahren zum Herstellen einer Speicherzelle, Speicherzelle und Speicherzellen-Anordnung
92 WO002004040668A3 08.07.2004 GRAHAM ANDREW, DE HOENLEIN WOLFGANG, DE HOFMANN FRANZ, DE KRETZ JOHANNES, DE KREUPL FRANZ, DE LANDGRAF ERHARD, DE LUYKEN RICHARD JOHANNES, DE ROESNER WOLFGANG, DE SCHULZ THOMAS, DE SPECHT MICHAEL, DE [DE] FELDEFFEKTTRANSISTOR-ANORDNUNG UND SCHALTKREIS-ARRAY [EN] FIELD EFFECT TRANSISTOR ASSEMBLY AND AN INTEGRATED CIRCUIT ARRAY [FR] ENSEMBLE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP ET RESEAU DE CIRCUITS DE COMMUTATION
91 CN000001155063C 23.06.2004 KREUPL F, DE WEINRICH M ENGELHARDT V, DE [EN] Method for producing semiconductor memory component
90 AU002003289813A1 23.06.2004 HOFMANN FRANZ KREUPL FRANZ [EN] METHOD FOR THE PRODUCTION OF A MEMORY CELL, MEMORY CELL AND MEMORY CELL ARRANGEMENT
89 WO002004051763A2 17.06.2004 HOFMANN FRANZ, DE KREUPL FRANZ, DE [DE] VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER SPEICHERZELLE, SPEICHERZELLE UND SPEICHERZELLEN-ANORDNUNG [EN] METHOD FOR THE PRODUCTION OF A MEMORY CELL, MEMORY CELL AND MEMORY CELL ARRANGEMENT [FR] PROCEDE DE ...
88 DE000010250834A1 19.05.2004 GRAHAM ANDREW, DE HOFMANN FRANZ, DE KREUPL FRANZ, DE SPECHT MICHAEL, DE [DE] Speicherzelle, Speicherzellen-Anordnung, Strukturier-Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer Speicherzelle
87 DE000010250868A1 19.05.2004 Hönlein, Wolfgang, Dr., 82008 Unterhaching, DE Kreupl, Franz, Dr., 80469 München, DE [DE] Vertikal integriertes Bauelement, Bauelement-Anordnung und Verfahren zum Herstellen eines vertikal integrierten Bauelements
86 WO002004040644A2 13.05.2004 GRAHAM ANDREW, DE HOENLEIN WOLFGANG, DE HOFMANN FRANZ, DE KRETZ JOHANNES, DE KREUPL FRANZ, DE LANDGRAF ERHARD, DE LUYKEN RICHARD JOHANNES, DE ROESNER WOLFGANG, DE SCHULZ THOMAS, DE SPECHT MICHAEL, DE [DE] SPEICHERZELLE, SPEICHERZELLEN-ANORDNUNG, STRUKTURIER-ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER SPEICHERZELLE [EN] MEMORY CELL, MEMORY CELL ARRANGEMENT, STRUCTURING ARRANGEMENT AND METHOD FOR ...
85 WO002004040666A1 13.05.2004 GRAHAM ANDREW, DE HOENLEIN WOLFGANG, DE HOFMANN FRANZ, DE KRETZ JOHANNES, DE KREUPL FRANZ, DE LANDGRAF ERHARD, DE LUYKEN RICHARD JOHANNES, DE ROESNER WOLFGANG, DE SCHULZ THOMAS, DE SPECHT MICHAEL, DE [DE] VERTIKAL INTEGRIERTES BAUELEMENT, BAUELEMENT-ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES VERTIKAL INTEGRIERTEN BAUELEMENTS [EN] VERTICAL INTEGRATED COMPONENT, COMPONENT ARRANGEMENT AND METHOD FOR ...
84 WO002004040667A1 13.05.2004 GRAHAM ANDREW, DE HOENLEIN WOLFGANG, DE HOFMANN FRANZ, DE KRETZ JOHANNES, DE KREUPL FRANZ, DE LANDGRAF ERHARD, DE LUYKEN RICHARD JOHANNES, DE ROESNER WOLFGANG, DE SCHULZ THOMAS, DE SPECHT MICHAEL, DE [DE] NICHTFLÜCHTIGE SPEICHERZELLE, SPEICHERZELLEN-ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER NICHTFLÜCHTIGEN SPEICHERZELLE [EN] NON-VOLATILE MEMORY CELL, MEMORY CELL ARRANGEMENT AND METHOD FOR PRODUCTION ...
83 WO002004040668A2 13.05.2004 GRAHAM ANDREW, DE HOENLEIN WOLFGANG, DE HOFMANN FRANZ, DE KRETZ JOHANNES, DE KREUPL FRANZ, DE LANDGRAF ERHARD, DE LUYKEN RICHARD JOHANNES, DE ROESNER WOLFGANG, DE SCHULZ THOMAS, DE SPECHT MICHAEL, DE [DE] FELDEFFEKTTRANSISTOR-ANORDNUNG UND SCHALTKREIS-ARRAY [EN] FIELD EFFECT TRANSISTOR ASSEMBLY AND AN INTEGRATED CIRCUIT ARRAY [FR] ENSEMBLE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP ET RESEAU DE CIRCUITS DE COMMUTATION
82 US020040092093A1 13.05.2004 ENGELHARDT MANFRED, DE KREUPL FRANZ, DE SCHWARZL SIEGFRIED, DE [EN] Method for producing an integrated circuit having at least one metalicized surface
81 KR102004038977A 08.05.2004 HOENLEIN WOLFGANG KREUPL FRANZ [EN] MAGNETIC MEMORY UNIT AND MAGNETIC MEMORY ARRAY
80 EP000001412948A2 28.04.2004 HOENLEIN WOLFGANG, DE KREUPL FRANZ, DE [DE] MAGNETISCHE SPEICHEREINHEIT UND MAGNETISCHES SPEICHERARRAY [EN] MAGNETIC MEMORY UNIT AND MAGNETIC MEMORY ARRAY [FR] UNITE MEMOIRE MAGNETIQUE ET MATRICE MEMOIRE MAGNETIQUE
79 KR102004030653A 09.04.2004 HOENLEIN WOLFGANG KLOSE HELMUT KREUPL FRANZ SIMBUERGER WERNER [EN] ELECTRONIC CHIP AND ELECTRONIC CHIP ASSEMBLY
78 US000006707098B2 16.03.2004 HOFMANN FRANZ, DE KREUPL FRANZ, DE LUYKEN RICHARD JOHANNES, DE SCHLOESSER TILL, DE [EN] Electronic device and method for fabricating an electronic device
77 US020040048479A1 11.03.2004 DRUMMER HEIKE, DE ENGELHARDT MANFRED, DE KREUPL FRANZ, DE SANGER ANNETTE, FR SELL BERNHARD, US THIEME PETER, DE [EN] Process for producing and removing a mask layer
76 EP000001393370A2 03.03.2004 HOENLEIN WOLFGANG, DE KLOSE HELMUT, DE KREUPL FRANZ, DE SIMBUERGER WERNER, DE [DE] ELEKTRONISCHER CHIP UND ELEKTRONISCHE CHIP-ANORDNUNG [EN] ELECTRONIC CHIP AND ELECTRONIC CHIP ASSEMBLY [FR] PUCE ELECTRONIQUE ET SYSTEME DE PUCES ELECTRONIQUES
75 EP000001390295A2 25.02.2004 GRAHAM ANDREW, DE HOFMANN FRANZ, DE KRETZ JOHANNES, DE KREUPL FRANZ, DE LUYKEN RICHARD JOHANNES, DE ROESNER WOLFGANG, DE [DE] NANORÖHREN-ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER NANORÖHREN-ANORDNUNG [EN] NANOTUBE ARRAY AND METHOD FOR PRODUCING A NANOTUBE ARRAY [FR] ENSEMBLE A NANOTUBES ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN ...
74 DE000010220194A1 27.11.2003 Düsberg, Georg S., Dr.rer.nat., 80469 München, DE Graham, Andrew Ph. D., Dr., 81547 München, DE Kreupl, Franz, Dr.rer.nat., 80802 München, DE Liebau, Maik, Dr.rer.nat., 81735 München, DE Unger, Eugen, Dr.rer.nat., 86161 Augsburg, DE [DE] Kontaktierung von Nanoröhren
73 EP000001364391A1 26.11.2003 DRUMMER HEIKE, DE ENGELHARDT MANFRED, DE KREUPL FRANZ, DE SAENGER ANNETTE, DE SELL BERNHARD, US THIEME PETER, DE [DE] VERFAHREN ZUR ENTFERNUNG EINER MASKENSCHICHT VON EINEM HALBLEITERSUBSTRAT [EN] METHOD FOR REMOVING A MASK LAYER FROM A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE [FR] PROCEDE POUR ENLEVER UNE COUCHE DE MASQUAGE D'UN ...
72 TW000000563253B 21.11.2003 KREUPL FRANZ, DE [EN] Field effect transistor and method for producing a field effect transistor
71 TW00000I563253B 21.11.2003 KREUPL FRANZ, DE [EN] Field effect transistor and method for producing a field effect transistor
70 WO002003094226A2 13.11.2003 DUESBERG GEORG STEFAN, DE GRAHAM ANDREW, DE KREUPL FRANZ-MARTIN, DE LIEBAU MAIK, DE UNGER EUGEN, DE [DE] KONTAKTIERUNG VON NANORÖHREN [EN] CONTACTING OF NANOTUBES [FR] ETABLISSEMENT DES CONTACTS DE NANOTUBES
69 KR102003076694A 26.09.2003 DRUMMER HEIKE KREUPL FRANZ SAENGER ANNETTE ENGELHARDT MANFRED SELL BERNHARD THIEME PETER [EN] METHOD FOR REMOVING A MASK LAYER FROM A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
68 US020030179559A1 25.09.2003 ENGELHARDT MANFRED, DE HONLEI WOLFGANG, DE KREUPL FRANZ, DE [EN] Electronic component comprising an electrically conductive connection consisting of carbon nanotubes and a method for producing the same
67 WO002003050868A3 04.09.2003 HOENLEIN WOLFGANG, DE KREUPL FRANZ, DE STEINHOEGL WERNER, DE [DE] VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER SCHICHT-ANORDNUNG UND SCHICHT-ANORDNUNG [EN] METHOD FOR PRODUCING A LAYERED ASSEMBLY AND A LAYERED ASSEMBLY [FR] PROCEDE DE PRODUCTION D'UN SYSTEME STRATIFIE ET SYSTEME ...
66 WO002002099845A3 21.08.2003 HOENLEIN WOLFGANG, DE KLOSE HELMUT, DE KREUPL FRANZ, DE SIMBUERGER WERNER, DE [DE] ELEKTRONISCHER CHIP UND ELEKTRONISCHE CHIP-ANORDNUNG [EN] ELECTRONIC CHIP AND ELECTRONIC CHIP ASSEMBLY [FR] PUCE ELECTRONIQUE ET SYSTEME DE PUCES ELECTRONIQUES
65 US020030155591A1 21.08.2003 KREUPL FRANZ, DE [EN] Field effect transistor and method for producing a field effect transistor
64 DE000010202903A1 14.08.2003 KREUPL FRANZ, DE [DE] Magnetoresistive Speicherzelle mit polaritätsabhängigem Widerstand
63 US020030148562A1 07.08.2003 HANEDER THOMAS PETER, DE HOENLEIN WOLFGANG, DE KREUPL FRANZ, DE LUYKEN RICHARD JOHANNES, DE SCHLOESSER TILL, DE [EN] Field effect transistor
62 DE000010201645A1 07.08.2003 BREDERLOW RALF, DE ELBE ASTRID, DE KREUPL FRANZ, DE LUYKEN JOHANNES, DE NEUHAUSER ROBERT, DE PAULUS CHRISTIAN, DE SCHEPERS JOERG, DE THEWES ROLAND, DE [DE] Verfahren zur Codierung und Authentifizierung von Halbleiterschaltungen
61 US020030142562A1 31.07.2003 KREUPL FRANZ, DE [EN] Magnetoresistive memory cell with polarity-dependent resistance
60 WO002003061004A2 24.07.2003 BREDERLOW RALF, DE ELBE ASTRID, DE KREUPL FRANZ, DE LUYKEN JOHANNES, DE NEUHAUSER ROBERT, DE PAULUS CHRISTIAN, DE SCHEPERS JOERG, DE THEWES ROLAND, DE [DE] VERFAHREN ZUR CODIERUNG UND AUTHENTIFIZIERUNG VON HALBLEITERSCHALTUNGEN [EN] METHOD FOR CODING AND AUTHENTICATING SEMICONDUCTOR CIRCUITS [FR] PROCEDE POUR CODER ET AUTHENTIFIER DES CIRCUITS DE SEMI-CONDUCTEURS
59 DE000010161312A1 10.07.2003 Hönlein, Wolfgang, Dr., 82008 Unterhaching, DE Kreupl, Franz, Dr., 80469 München, DE Steinhögl, Werner, Dr., 80802 München, DE [DE] Verfahren zum Herstellen einer Schicht-Anordnung und Schicht-Anordnung
58 WO002003050868A2 19.06.2003 HOENLEIN WOLFGANG, DE KREUPL FRANZ, DE STEINHOEGL WERNER, DE [DE] VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER SCHICHT-ANORDNUNG UND SCHICHT-ANORDNUNG [EN] METHOD FOR PRODUCING A LAYERED ASSEMBLY AND A LAYERED ASSEMBLY [FR] PROCEDE DE PRODUCTION D'UN SYSTEME STRATIFIE ET SYSTEME ...
57 US000006566220B2 20.05.2003 ENGELHARDT MANFRED, DE KREUPL FRANZ, DE SCHIELE MANUELA, GB WEINRICH VOLKER, FR [EN] Method for fabricating a semiconductor memory component
56 WO002003007304A3 01.05.2003 HOENLEIN WOLFGANG, DE KREUPL FRANZ, DE [DE] MAGNETISCHE SPEICHEREINHEIT UND MAGNETISCHES SPEICHERARRAY [EN] MAGNETIC MEMORY UNIT AND MAGNETIC MEMORY ARRAY [FR] UNITE MEMOIRE MAGNETIQUE ET MATRICE MEMOIRE MAGNETIQUE
55 EP000001299914A1 09.04.2003 HANEDER THOMAS PETER, DE HOENLEIN WOLFGANG, DE KREUPL FRANZ, DE LUYKEN RICHARD JOHANNES, DE SCHLOESSER TILL, DE [DE] FELDEFFEKTTRANSISTOR [EN] FIELD EFFECT TRANSISTOR [FR] TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
54 TW000000526542B 01.04.2003 DRUMMER HEIKE, DE ENGELHARDT MANFRED, DE KREUPL FRANZ, DE SAENGER ANNETTE, DE SELL BERNHARD, DE [EN] Method for removing a mask layer from a semiconductor substrate
53 TW00000I526542B 01.04.2003 SELL BERNHARD, DE KREUPL FRANZ, DE DRUMMER HEIKE, DE SAENGER ANNETTE, DE ENGELHARDT MANFRED, DE [EN] Method for removing a mask layer from a semiconductor substrate
52 EP000001287563A1 05.03.2003 KREUPL FRANZ, DE [DE] FELDEFFEKTTRANSISTOR UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES FELDEFFEKTTRANSISTORS [EN] FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR PRODUCING A FIELD EFFECT TRANSISTOR [FR] TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP ET ...
51 WO002002092505A3 27.02.2003 GRAHAM ANDREW, DE HOFMANN FRANZ, DE KRETZ JOHANNES, DE KREUPL FRANZ, DE LUYKEN RICHARD JOHANNES, DE ROESNER WOLFGANG, DE [DE] NANORÖHREN-ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER NANORÖHREN-ANORDNUNG [EN] NANOTUBE ARRAY AND METHOD FOR PRODUCING A NANOTUBE ARRAY [FR] ENSEMBLE A NANOTUBES ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN ...
50 DE000010204875C1 27.02.2003 BREDERLOW RALF, DE ELBE ASTRID, DE HOFMANN FRANZ, DE KREUPL FRANZ, DE LUYKEN JOHANNES, DE NEUHAUSER ROBERT, DE PAULUS CHRISTIAN, DE SCHEPERS JOERG, DE SIPRAK DOMAGOJ, DE THEWES ROLAND, DE WEBER WERNER, DE [DE] IC-Chip mit Manipulationsschutz und Verfahren [EN] IC chip with manipulation protection for use in chip card, is provided by layer structure with given electrical characteristics checked to verify ...
49 DE000010113549C2 06.02.2003 Graham, Andrew, Dr., 81547 München, DE Kreupl, Franz, Dr., 80469 München, DE Unger, Eugen, Dr., 86161 Augsburg, DE [DE] Verfahren zum Wachsen von Nanoröhren
48 DE000010132787A1 30.01.2003 Graham, Andrew, Dr., 81547 München, DE Kreupl, Franz, Dr., 80469 München, DE [DE] Katalysatormaterial, Kohlenstoffnanoröhren-Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer Kohlenstoffnanoröhren-Anordnung
47 DE000010133373A1 30.01.2003 Hönlein, Wolfgang, Dr., 82008 Unterhaching, DE Kreupl, Franz, Dr., 80469 München, DE [DE] Magnetische Speichereinheit und magnetisches Speicherarray
46 WO002003007304A2 23.01.2003 HOENLEIN WOLFGANG, DE KREUPL FRANZ, DE [DE] MAGNETISCHE SPEICHEREINHEIT UND MAGNETISCHES SPEICHERARRAY [EN] MAGNETIC MEMORY UNIT AND MAGNETIC MEMORY ARRAY [FR] UNITE MEMOIRE MAGNETIQUE ET MATRICE MEMOIRE MAGNETIQUE
45 WO002003004155A1 16.01.2003 GRAHAM ANDREW, DE KREUPL FRANZ, DE [DE] KOHLENSTOFFNANORÖHREN-KATALYSATORMATERIAL, KOHLENSTOFFNANORÖHREN-ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER KOHLENSTOFFNANORÖHREN-ANORDNUNG [EN] CARBON NANOTUBE CATALYST MATERIAL, CARBON NANOTUBE ...
44 DE000010127351A1 19.12.2002 Hönlein, Wolfgang, Dr., 82008 Unterhaching, DE Klose, Helmut, Dr., 81479 München, DE Kreupl, Franz, Dr., 80469 München, DE Simbürger, Werner, Dr., 85540 Haar, DE [DE] Elektronischer Chip und elektronische Chip-Anordnung [EN] Electronic chip comprises several external contacts of which at least two are provided with a plurality of nano-tubes for purposes of contacting ...
43 WO002002099845A2 12.12.2002 HOENLEIN WOLFGANG, DE KLOSE HELMUT, DE KREUPL FRANZ, DE SIMBUERGER WERNER, DE [DE] ELEKTRONISCHER CHIP UND ELEKTRONISCHE CHIP-ANORDNUNG [EN] ELECTRONIC CHIP AND ELECTRONIC CHIP ASSEMBLY [FR] PUCE ELECTRONIQUE ET SYSTEME DE PUCES ELECTRONIQUES
42 KR102002092434A 11.12.2002 KREUPL FRANZ [EN] FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR PRODUCING A FIELD EFFECT TRANSISTOR
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40 DE000010034315C2 28.11.2002 Kreupl, Franz, Dr., 80469 München, DE Paulus, Christian, 81247 München, DE Sauerbrey, Jens, 82024 Taufkirchen, DE Thewes, Roland, Dr., 82194 Gröbenzell, DE [DE] Analog-Digital-Wandler
39 DE000010123876A1 28.11.2002 Graham, Andrew, Dr., 81547 München, DE Hofmann, Franz, Dr., 80995 München, DE Kretz, Johannes, Dr., 80538 München, DE Kreupl, Franz, Dr., 80469 München, DE Luyken, Johannes R., Dr., 81825 München, DE Rösner, Wolfgang, Dr., 85521 Ottobrunn, DE [DE] Nanoröhren-Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer Nanoröhren-Anordnung [EN] Nanotube array comprises a substrate, a catalyst layer having partial regions on the surface of the substrate, nanotubes ...
38 WO002002092505A2 21.11.2002 GRAHAM ANDREW, DE HOFMANN FRANZ, DE KRETZ JOHANNES, DE KREUPL FRANZ, DE LUYKEN RICHARD JOHANNES, DE ROESNER WOLFGANG, DE [DE] NANORÖHREN-ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER NANORÖHREN-ANORDNUNG [EN] NANOTUBE ARRAY AND METHOD FOR PRODUCING A NANOTUBE ARRAY [FR] ENSEMBLE A NANOTUBES ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN ...
37 CN000001377511A 30.10.2002 ENGELHARDT M, DE KREUPL F, DE SCHWARZL S, DE [EN] Method for producing integrated circuit having at least one metalilized surface
36 US020020153160A1 24.10.2002 HOFMANN FRANZ, DE KREUPL FRANZ, DE LUYKEN RICHARD JOHANNES, DE SCHLOESSER TILL, DE [EN] Electronic device and method for fabricating an electronic device
35 KR102002079854A 19.10.2002 ENGELHARDT MANFRED HOENLEIN WOLFGANG KREUPL FRANZ [EN] ELECTRONIC COMPONENT COMPRISING AN ELECTRICALLY CONDUCTIVE CONNECTION CONSISTING OF CARBON NANOTUBES AND A METHOD FOR PRODUCING THE SAME
34 DE000010113549A1 02.10.2002 Graham, Andrew, Dr., 81547 München, DE Kreupl, Franz, Dr., 80469 München, DE Unger, Eugen, Dr., 86161 Augsburg, DE [DE] Verfahren zum Wachsen von Nanoröhren, Substrat und Halbleiterelement [EN] Process for growing nanotubes used in the production of a semiconductor element comprises contacting a substrate with a ...
33 TW000000503482B 21.09.2002 ENGELHARDT MANFRED, DE HOENLEIN WOLFGANG, DE KREUPL FRANZ, DE [EN] Semiconductor electronic device, method for producing a conductive connection in a semiconductor electronic device, and method for producing a semiconductor electronic device
32 TW00000I503482B 21.09.2002 HOENLEIN WOLFGANG, DE ENGELHARDT MANFRED, DE KREUPL FRANZ, DE [EN] Semiconductor electronic device, method for producing a conductive connection in a semiconductor electronic device, and method for producing a semiconductor electronic device
31 WO002002069378A1 06.09.2002 DRUMMER HEIKE, DE ENGELHARDT MANFRED, DE KREUPL FRANZ, DE SAENGER ANNETTE, DE SELL BERNHARD, DE THIEME PETER, DE [DE] VERFAHREN ZUR ENTFERNUNG EINER MASKENSCHICHT VON EINEM HALBLEITERSUBSTRAT [EN] METHOD FOR REMOVING A MASK LAYER FROM A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE [FR] PROCEDE POUR ENLEVER UNE COUCHE DE MASQUAGE D'UN ...
30 US020020115253A1 22.08.2002 ENGELHARDT MANFRED, DE KREUPL FRANZ, DE SCHIELE MANUELA, GB WEINRICH VOLKER, FR [EN] Method for fabricating a semiconductor memory component
29 DE000010103340A1 22.08.2002 Hönlein, Wolfgang, Dr., 82008 Unterhaching, DE Kreupl, Franz, Dr., 80469 München, DE [DE] Verfahren zum Wachsen von Kohlenstoff-Nanoröhren oberhalb einer elektrisch zu kontaktierenden Unterlage sowie Bauelement
28 WO002002059392A1 01.08.2002 HOENLEIN WOLFGANG, DE KREUPL FRANZ, DE [DE] VERFAHREN ZUM WACHSEN VON KOHLENSTOFF-NANORÖHREN OBERHALB EINER ELEKTRISCH ZU KONTAKTIERENDEN UNTERLAGE SOWIE BAUELEMENT [EN] METHOD FOR GROWING CARBON NANOTUBES ABOVE A BASE THAT IS TO BE ELECTRICALLY ...
27 US020020098679A1 25.07.2002 ENGELHARDT MANFRED, DE KREUPL FRANZ, DE SCHWARZL SIEGFRIED, DE [EN] Method for producing an integrated circuit having at least one metalicized surface
26 CN000001354887A 19.06.2002 ENGELHARDT M, DE KREUPL F, DE WEINRICH V, DE [EN] Method for producing semiconductor memory component
25 EP000001212794A2 12.06.2002 ENGELHARDT MANFRED, DE KREUPL FRANZ, DE SCHWARZL SIEGFRIED, DE [DE] VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER INTEGRIERTEN SCHALTUNG MIT MINDESTENS EINER METALLISIERUNGSEBENE [EN] METHOD FOR PRODUCING AN INTEGRATED CIRCUIT HAVING AT LEAST ONE METALLISED SURFACE [FR] PROCEDE ...
24 DE000010056282A1 23.05.2002 Kreupl, Franz, Dr., 80469 München, DE Weber, Werner, Dr., 80637 München, DE [DE] Künstliches Neuron, elektronische Schaltungsanordnung und künstliches neuronales Netz [EN] Artificial neuron comprises a transistor and a number of electrical contacts which can be contacted by ...
23 EP000001198828A1 24.04.2002 ENGELHARDT MANFRED, DE KREUPL FRANZ, DE SCHIELE MANUELA, GB WEINRICH VOLKER, FR [DE] VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERSPEICHERBAUELEMENTS [EN] METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR MEMORY COMPONENT [FR] PROCEDE DE PRODUCTION D'UN COMPOSANT DE STOCKAGE A SEMI-CONDUCTEUR
22 KR102002025237A 03.04.2002 SCHWARZL SIEGFRIED ENGELHARDT MANFRED KREUPL FRANZ [EN] METHOD FOR PRODUCING AN INTEGRATED CIRCUIT HAVING AT LEAST ONE METALICIZED SURFACE
21 KR102002020908A 16.03.2002 ENGELHARDT MANFRED WEINRICH VOLKER KREUPL FRANZ SCHIELE MANUELA [EN] METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR MEMORY COMPONENT
20 TW000000477039B 21.02.2002 ENGELHARDT MANFRED, DE KREUPL FRANZ, DE SCHIELE MANUELA, DE WEINRICH VOLKER, DE [EN] Method to manufacture semiconductor memory components
19 TW00000I477039B 21.02.2002 ENGELHARDT MANFRED, DE WEINRICH VOLKER, DE KREUPL FRANZ, DE SCHIELE MANUELA, DE [EN] Method to manufacture semiconductor memory components
18 DE000010006964C2 31.01.2002 Engelhardt, Manfred, Dr.rer.nat., 83620 Feldkirchen-Westerham, DE Hönlein, Wolfgang, Dr.rer.nat., 82008 Unterhaching, DE Kreupl, Franz, Dr.rer.nat., 80469 München, DE [DE] Elektronisches Bauelement mit einer leitenden Verbindung zwischen zwei leitenden Schichten und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements
17 DE000010034315A1 31.01.2002 Kreupl, Franz, Dr., 80469 München, DE Paulus, Christian, 81247 München, DE Sauerbrey, Jens, 82024 Taufkirchen, DE Thewes, Roland, Dr., 82194 Gröbenzell, DE [DE] Analog-Digital-Wandler [EN] Analog-digital converter has second electrode as flexible element extending freely in one direction and detector of variable distance between first and second electrodes
16 DE000010032412A1 24.01.2002 Engelhardt, Manfred, Dr., 83620 Feldkirchen-Westerham, DE Haneder, Thomas Peter, 81549 München, DE Hoenlein, Wolfgang, Dr., 82008 Unterhaching, DE Kreupl, Franz, Dr., 80469 München, DE [DE] Elektronisches Speicherelement und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Speicherelements [EN] Electronic storage element used in CMOS technology comprises carbon nanotubes arranged skew ...
15 WO002002003482A1 10.01.2002 HANEDER THOMAS PETER, DE HOENLEIN WOLFGANG, DE KREUPL FRANZ, DE LUYKEN RICHARD JOHANNES, DE SCHLOESSER TILL, DE [DE] FELDEFFEKTTRANSISTOR [EN] FIELD EFFECT TRANSISTOR [FR] TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
14 EP000001170799A2 09.01.2002 HOFMANN FRANZ DR, DE KREUPL FRANZ DR, DE LUYKEN RICHARD JOHANNES DR, DE SCHLOESSER TILL DR, DE [DE] Elektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements [EN] Electronic device and method of manufacture of an electronic device [FR] Dispositif électronique et procédé ...
13 DE000010032370C1 13.12.2001 Haneder, Thomas Peter, 81549 München, DE Hoenlein, Wolfgang, Dr., 82008 Unterhaching, DE Kreupl, Franz, Dr., 80469 München, DE [DE] Feldeffekttransistor [EN] Carbon nanotube field effect transistor has two nanotubes spaced apart to prevent tunnel current between them
12 WO002001088996A1 22.11.2001 KREUPL FRANZ, DE [DE] FELDEFFEKTTRANSISTOR UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES FELDEFFEKTTRANSISTORS [EN] FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR PRODUCING A FIELD EFFECT TRANSISTOR [FR] TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP ET ...
11 TW000000461037B 21.10.2001 ENGELHARDT MANFRED, DE KREUPL FRANZ, DE SCHWARZL SIEGFRIED, DE [EN] Method for fabricating an integrated circuit having at least one metallization plane
10 TW00000I461037B 21.10.2001 SCHWARZL SIEGFRIED, DE ENGELHARDT MANFRED, DE KREUPL FRANZ, DE [EN] Method for fabricating an integrated circuit having at least one metallization plane
9 DE000010023871C1 27.09.2001 KREUPL FRANZ, DE [DE] Feldeffekttransistor und Verfahren zum Herstellen eines Feldeffekttransistors [EN] Field effect transistor comprises an electrically non-conducting substrate, a channel region between source and ...
8 DE000010006964A1 13.09.2001 Engelhardt, Manfred, Dr.rer.nat., 83620 Feldkirchen-Westerham, DE Hönlein, Wolfgang, Dr.rer.nat., 82008 Unterhaching, DE Kreupl, Franz, Dr.rer.nat., 80469 München, DE [DE] Elektronisches Bauelement, Verfahren zum Herstellen einer leitenden Verbindung in einem elektronischen Bauelelent und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements
7 WO002001061753A1 23.08.2001 ENGELHARDT MANFRED, DE HOENLEIN WOLFGANG, DE KREUPL FRANZ, DE [DE] ELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT EINER ELEKTRISCH LEITENDEN VERBINDUNG AUS CARBON-NANORÖHREN UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG [EN] ELECTRONIC COMPONENT COMPRISING AN ELECTRICALLY CONDUCTIVE CONNECTION ...
6 WO002001015219A3 19.07.2001 ENGELHARDT MANFRED, DE KREUPL FRANZ, DE SCHWARZL SIEGFRIED, DE [DE] VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER INTEGRIERTEN SCHALTUNG MIT MINDESTENS EINER METALLISIERUNGSEBENE [EN] METHOD FOR PRODUCING AN INTEGRATED CIRCUIT HAVING AT LEAST ONE METALICIZED SURFACE [FR] PROCEDE ...
5 WO002001015219A2 01.03.2001 ENGELHARDT MANFRED, DE KREUPL FRANZ, DE SCHWARZL SIEGFRIED, DE [DE] VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER INTEGRIERTEN SCHALTUNG MIT MINDESTENS EINER METALLISIERUNGSEBENE [EN] METHOD FOR PRODUCING AN INTEGRATED CIRCUIT HAVING AT LEAST ONE METALICIZED SURFACE [FR] PROCEDE ...
4 WO002000077841A1 21.12.2000 ENGELHARDT MANFRED, DE KREUPL FRANZ, DE SCHIELE MANUELA, DE WEINRICH VOLKER, DE [DE] VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERSPEICHERBAUELEMENTS [EN] METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR MEMORY COMPONENT [FR] PROCEDE DE PRODUCTION D'UN COMPOSANT DE STOCKAGE A SEMI-CONDUCTEUR
3 DE000019926501A1 21.12.2000 Engelhardt, Manfred, Dr., 83620 Feldkirchen-Westerham, DE Kreupl, Franz, 80469 München, DE Schiele, Manuela, 85625 Glonn, DE Weinrich, Volker, Dr., 81373 München, DE [DE] Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterspeicherbauelements
2 WO002000039847A1 06.07.2000 ENGELHARDT MANFRED, DE HARTNER WALTER, DE KREUPL FRANZ, DE SAENGER ANNETTE, DE SCHIELE MANUELA, DE WEINRICH VOLKER, DE [DE] VERFAHREN ZUM STRUKTURIEREN EINES SUBSTRATS SOWIE VORRICHTUNG ZUR DURCHFÜHRUNG EINES DERARTIGEN VERFAHRENS [EN] METHOD FOR STRUCTURING A SUBSTRATE AND DEVICE FOR CARRYING OUT SAID METHOD [FR] PROCEDE ...
1 DE000019860084A1 06.07.2000 Engelhardt, Manfred, Dr., 83620 Feldkirchen-Westerham, DE Hartner, Walter, 81829 München, DE Kreupl, Franz, Dr., 80469 München, DE Schiele, Manuela, 85625 Glonn, DE Sänger, Annette, Dr., 81667 München, DE Weinrich, Volker, Dr., 81373 München, DE [DE] Verfahren zum Strukturieren eines Substrats