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Vergabestelle:

  • Technische Universität München
    Lehrstuhl für Schaltungsentwurf
    Aricsstrasse 21, 80333 München

Fertigung einer integrierten CMOS Schaltung:
Die zu fertigende Schaltung ist eine analoge integrierte CMOS Schaltung einer Gesamtfläche (je nach Prozess von ca. 10mm²) und muss in einem low power, low cost CMOS Prozess mit 180nm Fertigungsgeometrie, 3.3V und 1.8V kompatiblen Transistoren mit ausreichender Schwellspannung (mindestens 500mV bei 25°C)  und passiven Bauelementen, integrierbaren high-k Kapazitäten und Hochohmwiderständen (>1kOhm/sq.) gefertigt werden. Die Schaltpläne und Layouts werden vom Lehrstuhl gestellt, elektrische Modelle und Designregeln für die Bauelemente müssen vom Fertiger gestellt werden. Die Übergabe der Designdaten findet mit Hilfe von gds2-Files statt.